濺射鍍膜技術(shù)是用離子轟擊靶材表面，濺射產(chǎn)生的原子沉積在基體表面形成PVD涂層。通常是利用氣體放電產(chǎn)生氣體電離，其正離子在電場(chǎng)作用下高速轟擊陰極靶體，擊出陰極靶體原子或分子，飛向被鍍基體表面沉積成PVD涂層。磁控濺射鍍膜技術(shù)是在濺射鍍膜基礎(chǔ)上發(fā)展而來，與濺射鍍膜相比，沉積速率更快，涂層致密且與基體附著性好，適合大批量PVD涂層生產(chǎn)。在發(fā)展過程中，磁控濺射鍍膜技術(shù)出現(xiàn)了不少分類，下面，小編為大家分享一下磁控濺射鍍膜代表性方法有哪些吧。

　　一、平衡磁控濺射鍍膜技術(shù)

　　這是傳統(tǒng)的磁控濺射鍍膜技術(shù)，將永磁體或電磁線圈放到在靶材背后，在靶材表面會(huì)形成與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng)。在高壓作用下氬氣電離成等離子體，Ar+離子經(jīng)電場(chǎng)加速轟擊陰極靶材，靶材二次電子被濺射出，且電子在相互垂直的電場(chǎng)及磁場(chǎng)作用下，被束縛在陰極靶材表面附近，增加了電子與氣體碰撞的幾率，即增加了氬氣電離率，使氬氣在低氣體下也可維持放電，因而磁控濺射既降低了濺射氣體壓力，同時(shí)也提高了濺射效率及沉積速率。

　　但傳統(tǒng)磁控濺射有一些缺點(diǎn)，比如：低氣壓放電產(chǎn)生的電子和戳射出的靶材二次電子都被束縛在靶面附近大約60mm的區(qū)域內(nèi)，這樣工件只能被安放在靶表面50~100mm的范圍內(nèi)。這樣小的鍍膜區(qū)間限制了待鍍工件的尺寸，較大的工件或裝爐量不適合傳統(tǒng)方法。

　　二、非平衡磁控濺射鍍膜技術(shù)

　　這種磁控濺射鍍膜方法部分解決了平衡磁控濺射的不足，是將靶面的等離子體引到靶前200~300mm的范圍內(nèi)，使陽(yáng)極基片沉浸在等離子體中，減少了粒子移動(dòng)的距離，離子束起到輔助沉積的作用。然而單獨(dú)的非平衡磁控靶在基片上很難沉積出均勻的薄膜層，因此開發(fā)出多靶非平衡磁控濺射鍍膜技術(shù)，彌補(bǔ)了單靶非平衡磁控濺射的不足。

PVD涂層

　　三、反應(yīng)磁控濺射鍍膜技術(shù)

　　隨著表面工程技術(shù)的發(fā)展，越來越多地用到各種化合物薄膜材料?？梢灾苯邮褂没衔锊牧现谱鞯陌胁耐ㄟ^濺射來制備化合物薄膜，也可在濺射金屬或合金靶材時(shí)，通人一定的反應(yīng)氣體，通過發(fā)生化學(xué)反應(yīng)制備化合物薄膜，后者被稱為反應(yīng)磁控濺射。一般來說純金屬作為靶材和氣體反應(yīng)較容易得到高質(zhì)量的化合物薄膜，因而大多數(shù)化合物薄膜是用純金屬為靶材的反應(yīng)濺磁控射來制備的。

　　四、中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)

　　這種鍍膜方法是將磁控濺射電源由傳統(tǒng)的直流改為中頻交流電源。在濺射過程中，當(dāng)系統(tǒng)所加電壓處在交流電負(fù)半周期時(shí)，靶材被正離子轟擊而濺射，而處于正半周期時(shí)，靶材表面被等離子體中的電子轟擊而濺射，同時(shí)靶材表面累積的正電荷被中和，打弧現(xiàn)象得到抑制。中頻磁控濺射電源的頻率通常在10-80kHz之間，頻率高，正離子被加速的時(shí)間就短，轟擊靶材時(shí)的能量就低，濺射沉積速率隨之下降。中頻磁控濺射系統(tǒng)一般有兩個(gè)靶，這兩個(gè)靶周期性輪流作為陰極和陽(yáng)極，一方面減小了基體濺傷；另一方面也弱化了打弧現(xiàn)象。

　　上述即是磁控濺射鍍膜代表性方法有哪些的大致介紹，可以看出，磁控濺射鍍膜技術(shù)經(jīng)過長(zhǎng)期發(fā)展，衍生出許多分支，形成不同的特色，也因此得到更廣泛的應(yīng)用，制備的PVD涂層性能更好。